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VND5E160ASOTR-E ST(意法半导体) 栅极驱动器
VND5E160ASO-E是一款采用ST专有VIPower M0-5技术制造的单通道高驱动器，采用SO-16L封装。该器件专为驱动12V汽车接地负载而设计，并提供保护和诊断功能。它还实现了3V5V CMOS兼容接口，可以与任何微控制器一起使用。 该器件集成了先进的保护功能，如负载电流限制、通过功率限制进行浪涌和载主动管理、过热自动重启和过压主动钳位。每个输出通道都配备了一个专用的模拟电流检测引脚，提供了增强的诊断功能，包括功率限制指示、过热指示、VCC短路诊断以及开路检测。通过将CS_DIS引脚拉高，可以禁用整个器件的电流检测诊断反馈，从而与类似器件共享外部检测电阻。更多 +
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uPD78F0890GK(A)-GAJ-AX RENESAS（瑞萨） 8位微控制器 -MCU
采用 8 位内核，具备 8 位数据处理能力，可高效处理各种数据运算任务。 最高工作频率可达 20MHz，能够快速响应外部事件和处理指令。 内置闪存，方便用户存储程序代码和数据，掉电后数据不丢失。 采用 CMOS 工艺，具有低功耗的特点，适用于对功耗要求较高的应用场景。 拥有 64 个引脚，提供了丰富的 I/O 接口，可连接多种外部设备。更多 +
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UPD78F0526AGB-GAG-AX RENESAS（瑞萨） 8位微控制器 -MCU
系列：78K0/Kx2 系列。 核心处理器：78K/0，核心尺寸为 8 位，能够进行 8 位数据处理。 速度：最高工作频率可达 20MHz，可快速处理指令和响应外部事件。 连接性：具备 3 线 SIO、I2C、LIN、UART/USART 等多种通信接口，方便与其他设备进行数据传输和通信。 外设：集成了 LVD（低压检测）、POR（上电复位）、PWM（脉冲宽度调制）、WDT（看门狗定时器）等丰富的外设功能。 存储：程序存储容量为 96KB（96K x 8），程序存储器类型为闪存，可方便地存储用户程序代码和数据，掉电不丢失；RAM 容量为 5K x 8，用于运行时的数据存储和处理。更多 +
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R7F7010173AFP#KA2 RENESAS（瑞萨） 32 位微控制器
属于瑞萨的 RH850/F1L 系列，是 32 位微控制器1。 采用 RH850G3K 核心处理器，内核规格为 32 位单核，速度可达 80MHz1。 具备丰富的资源，如 384KB 闪存、32K x 8 的 EEPROM 以及 48K x 8 的 RAM1。 集成多种连接接口和外设，包括 CANbus、CSI、I2C、LINbus、SPI、UART/USART、DMA、PWM、WDT 等更多 +
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R7F0C901B2DNP-C#HA0 RENESAS（瑞萨） 低功耗微控制器
采用 RL78 内核，属于 R7F0C901/902 系列微控制器。具有 48KB 至 64KB 的闪存阵容，内置单电源闪存，具备块擦除 / 编程禁止功能。更多 +
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R5F1006AASP#X0 RENESAS（瑞萨） 16位微控制器 - MCU
超低功耗技术 VDD = 1.6至5.5V的单电源电压 HALT模式 ST模式 SNOOZE模式 RL78 CPU核心 CISC架构，3级流水线 最小指令执行时间：可以更改为 从高速（0.3125 μs： 32 MHz 操作 使用高速片上振荡器）到超低速 （30.5 μs： 2.768 kHz 操作 使用子系统时钟） 地址空间：1 MB 通用寄存器：(8位寄存器×8)× 银行 片上RAM：2至32 KB 代码闪存 代码闪存：16至512 KB 块大小：1 KB 禁止擦除和重写（安全 功能） 片上调试功能 自编程（带有启动交换功能/闪存保护窗口功能） 数据闪存 数据存：4 KB至8 KB 背景操作（BGO）：在重写数据闪存时，可以从程序存储器中执行指令。更多 +
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R5F100BEANA#W0 RENESAS（瑞萨） 16位微控制器 - MCU
超低功耗技术 VDD = 1.6 至 5.5 V 单电源电压 HALT模式 STOP 模式 SNOOZE 模式 RL78 CPU 核心 最小指令执行时间：可以更改为 从高速（0.0315 μs： 32 MHz 操作 使用高速片上振荡器）到超低速 （30.5 μs： 32768 kHz 操作 使用子系统时钟） 地址空间：1 MB 通用寄存器：(8 位寄存器 × 8) ×4 银行 片上 RAM：2 至 32 KB 代码闪存存储器 代码闪存存储器：16 至 512 KB 块：1 KB 禁止块擦除和重写（安全 功能） 片上调试功能 自编程（带有启动交换功能/闪存保护窗口功能）数据闪存存储器 数据闪存存储器：4 KB 至 8 KB更多 +
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R5F100ACASP#V0 RENESAS（瑞萨） 16位微控制器 - MCU
超低功耗技术 VDD = 1.6至5.5V的单电源电压 HALT模式 STOP SNOOZE模式 RL78 CPU核心 最小指令执行时间：可以改变 从高速（0.03125 μs： 3 MHz 操作，高速片上振荡器）到超低速 （30.5 μs： 32.768 kHz 操作，子系统） 地址空间：1 MB 通用寄存器：(8位寄存器×8)×4 银行 片上RAM：2至32 KB代码闪存 代码闪存：16至512 KB 块大小：1 KB 禁止块擦除和重写（安全功能） 片上功能 自编程（带有启动交换功能/闪存保护窗口功能） 数据闪存 数据闪存：4 KB至8 KB 背景操作（BGO：在重写数据闪存时，可以从程序存储器中执行指令。更多 +
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MEC1632X-AUE MICROCHIP（微芯） 32位微控制器 - MCU
MEC1632是多设备高级I/O控制器架构的混合信号基础组件。MEC162集成了高性能32位ARC 625D嵌入式微控制器，具有192千字节嵌入式Flash子系统、16千字节SRAM、千字节EEPROM仿真和2千字节EEPROM。MEC1632使用Intel低引脚数总线与系统主机通信。 M1632是分体式架构高级I/O控制器系统的EC基础组件，该系统使用BC-Link通信协议访问最多三个同伴组件。BC-Link是对等的，提供MEC1632嵌入式控制器和位于同伴中的寄存器之间的通信。 MEC1632由两个独立的挂起供电（VBAT和VTR）直接供电，并感知第三个运行时供电平面（VCC），以提供“即时启动”和系统电源管理功能。更多 +
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ATMEGA88PA-15AZ MICROCHIP（微芯） 8位微控制器 - MCU
ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P是基于AVR增强型R架构的超低功耗8位CMOS微控制器。通过在一个时钟周期内执行强大的指令，ATmega48A/PA/88A/PA/18A/PA/328/P的吞吐量接近每兆赫兹1MIPS，使得系统设计者能够优化功耗与处理速度之间的平衡 高性能、低功耗AVR 8位微控制器家族 先进的RISC架构 131个强大的指令-大多数单时钟执行 32 x 8个通用工作寄存器 完全静态操作 高达20 MHz时20 MiPs的吞吐量 -片上2乘法器 高耐久非易失性存储器段 4/8/16/32K字节的内置系统自编程Flash程序存储器 2515121512/1K字节EEPROM 512/1K/1K/2K字节更多 +
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EG80296SA50 Intel（英特尔）/Altera（阿尔特拉） 16 位微控制器
EG80296SA50 是一款由 Intel 公司生产的 16 位微控制器，属于 80296SA 系列13。采用 MCS 296 核心处理器，工作电压为 4.5V - 5.5V，处理器速度可达 50MHz，具有 32 个 I/O 引脚，RAM 容量为 512 x 8 位，采用外部振荡器，工作温度范围为 0°C - 70°C更多 +
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R7FA2L1AB2DFL#AA0 RENESAS（瑞萨） ARM微控制器 - MCU
MCU集成了多个系列的软件和引脚兼容的Arm?-based 32位核心，这些核心共享一组共同的瑞萨外设，以设计的可扩展性更多 +
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R7FA2E1A72DFM#AA0 RENESAS（瑞萨） ARM微控制器 - MCU
MCU集成了多个系列的软件和引脚兼容的Arm?-based 32位核心，这些核心共享一组共同的瑞萨外设，以设计的可扩展性更多 +
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R7FA2E1A72DFL#AA0 RENESAS（瑞萨） ARM微控制器 - MCU
该MCU集成了多个系列的软件和引脚兼容的Arm-基于32位核心，这些核心共享一组共同的Renesas外围，以促进设计的可扩展性。 该系列中的MCU采用了节能的Arm Cortex-M23 32位核心，特别适用于对成本敏感低功耗应用，具有以下特点： 高达128KB的代码闪存 16KB SRAM 12位A/D转换器（ADC12 安全特性更多 +
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R5F10268ASP#55 RENESAS（瑞萨） 16位微控制器 - MCU
超低功耗技术 工作电压：1.8V至5.5V，可低压工作 HALT模式 OP模式 SNOOZE模式 RL78 CPU核心 CISC架构，3级流水线 最小指令执行时间：可从高速（0.0467微秒： 24 MHz 操作，高速片上振荡器）变为超低速（1微秒： 1 MHz 操作） 地址：1MB 通用寄存器：（8位寄存器x 8）x 4个银行 片上RAM：256B至2KB代码闪存 代码闪存：2至16KB 块大小：1KB 禁止块擦除和重写（安全功能） 片上调试功能自编程（带闪存屏蔽窗口功能） 数据闪存记忆 注意 数据闪存：2KB 背景操作（BGO）：在重写数据存时从程序存储器执行指令。 重写次数：1,000,000次（典型值） 重写电压：Vop = 18至5.5V更多 +
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R5F1027AANA#25 RENESAS（瑞萨） 16位微控制器 - MCU
超低功耗技术 Voo= 1.8至5.5V的单电源电压，可在低电压下运行 ALT模式 STOP模式 SNOOZE模式 RL78 CPU核心 CISC架构，3级流水线 最小指令执行时间：可从高速（.04167微秒： 24 MHz操作，高速片上振荡器）变为超低速（1微秒： 1 MHz操作）地址空间：1 MB 通用寄存器：（8位寄存器x 8）x 4个银行 片上RAM：256 B至 KB 代码闪存 代码闪存：2至16 KB 块大小：1 KB 禁止块擦除和重写（安全功能） 片上功能 自编程（带闪存屏蔽窗口功能） 数据闪存记忆 注意2 .数据闪存：2 KB 后台操作（BGO）：重写数据闪存时从程序存储器中执行指令。更多 +
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R5F1026AASP#55 RENESAS（瑞萨） 16位微控制器 - MCU
超低功耗技术：Voo = 单个电源电压，范围为 0 至 5.5V，可以在低电压下运行 HALT 模式 STOP模式 SNOOZE 模式 RL78 CPU核心：具有3级流水线的ClSC架构 最小指令执行时间：可以改变 从高速（0.04167微秒： 4 MHz操作，高速片上振荡器）到超低速（1微秒： 1 MHz操作） 地址空间：1 MB 通用寄存器（8位寄存器x 8）x 4个银行 片上RAM：256 B到2 KB 代码闪存记忆：代码闪存：2至16KB 块大小：1KB 禁止块擦除和重写（安全功能） 片上调试功能 编程（带闪存屏蔽窗口功能） 数据闪存记忆注：数据闪存内存：2KB 背景操作（BGO）：指令在重写数据闪存内存时从程序内存中执行。更多 +
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R5F1006AASP#50 RENESAS（瑞萨） 16位微控制器 - MCU
超低功耗技术。Voo = 1.6 至 5.5 V 的单电源电压。HALT 。STOP 模式。SNOOZE 模式。 RL78 CPU 核心。具有 3 级流水线的 ClSC 架构，最小指令执行时间可以更改为从高速（0.03125 μs： 32 MHz 操作，带高速片上振荡器）到超低速（3.5 μs： 32.768 kHz 操作，带子系统时钟）。 * 地址空间：1 MB。通用寄存器(8 位寄存器 x 8)x 4。DANKS。片上 RAM：2 至 32 KB。代码闪存记忆。闪存记忆：16 至 512 KB。块大小：1 KB。禁止块擦除和重写（安全功能）。片上调试功能自编程（带启动交换功能/闪存屏蔽窗口功能）。更多 +
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R5F100BEANA#40 RENESAS（瑞萨） 16位微控制器 - MCU
超低功耗技术。Voo = 1.6 至 5.5 V 单电源电压 e HALT模式 .STOP 模式 SNOOZE 模式 RL78 CPU 核心 ClSC 架构，3 级流水线 e 最小指令时间：可以更改为从高速（0.03125 us： 32 MHz 操作，高速片上振荡器）到超低速（3.5 us： 32.768 kHz 操作，子系统时钟） 。地址空间：1 MB 通用寄存器：(8 寄存器 x 8) x 4 银行 .片上 D RAM：2 至 32 KB 代码闪存存储器 代码闪存存储器16 至 512 KB .块大小：1 KB 禁止块擦除和重写（安全功能） .片上调试功能 自（带有启动交换功能的闪存保护窗口功能） 数据闪存存储器。数据闪存存储器：4 KB 至 8 KB 背景操作（BGO）：重写数据闪存存储器时，可以从程序存储器中执行指令。更多 +
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R5F100BCANA#40 RENESAS（瑞萨） 16位微控制器 - MCU
超低功耗技术。Vop = 1.6 至 5.5 V 的单电源电压。HALT 。STOP 模式 SNOOZE 模式 RL78 CPU 核心 具有 3 级流水线的 CiSC 架构。最小指令执行时间可以更改为从高速（0.03125 us： 32 MHz 操作，带高速片上振荡器）到超低速（305 us： 32.768 kHz 操作，带子系统时钟） .地址空间：1 MB。通用寄存器：(8 寄存器 x 8)x 4 银行 .片上 RAM：2 至 32 KB 代码闪存内存。代码闪存内存：6 至 512 KB。更多 +
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