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5M80ZT100C5N DC IC CPLD 64MC 7.5NS 100TQFP
芯片介绍属于 CPLD（复杂可编程逻辑器件）具有较低的成本和功耗，具有一定的逻辑元件密度和 I/O 数量，具备片上闪存存储、内部振荡器和存储器功能等更多 +
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XC7K325T-2FFG900I Kintex-7 Field Programmable Gate Array (FPGA)
XC7K325T-2FFG900I 是 Xilinx（赛灵思，现属于 AMD）公司推出的一款现场可编程门阵列（FPGA）芯片更多 +
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XC7A75T-2FGG484I 分流器 电压基准 IC ±0.2% 4-WLP（1.16x0.88）
XC7A75T-2FGG484I 是 Xilinx（赛灵思，现属于 AMD）公司 Artix-7 系列的一款现场可编程门阵列（FPGA）芯片。更多 +
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LM2596S-5.0/TR HGSEMI(华冠) 3A 150KHZ DC 开关稳压电路
LM2596/LM2596HV 是一款 150KHz 固定频率的 PWM DCDC 稳压电源换器。它具有 3A 输出电流驱动能力，高效率、低纹波、高线性调整率和负载调整率等特点。该芯片采用 PWM 调制模式，能够调节占空比线性范围 0~100%。 LM2596/LM2596HV 内置固定频率振荡器和频率补偿模块，其使用十分简单，仅需要极少量的外部元器件。此外，该芯片还内置带迟滞功能的使能、过温保护、过流保护和刺激过流保护等功能。当次级过流保护发生时，芯片内置降频功能使工作频率由 150KHz 降到了 50KHz。更多 +
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MX35LF1GE4AB-Z4I Macronix（旺宏）串行NAND闪存
MX35LFxGE4AB是一款带有串行接口的1Gb/2Gb SLC NAND闪存器件。然而，该器件的存储阵列采用了与并行NAND相同的单元结构实现行业标准串行接口。芯片内部实现4位ECC逻辑，默认开启。内部的ECC可以是通过命令再次禁用或启用。当关闭内部4位ECC逻辑时，主机侧需要由主机微控制器处理4位ECC。更多 +
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MX25R8035FZUIL0 Macronix（旺宏） 串行（SPI）接口的Nor Flash闪存芯片
MX25R8035F 是 8Mb 位串行 NOR 闪存，内部配置为 1,048,576 x 8。当它处于四 I/O 模式时，结构变为 2,097,152 位 x 4 或 4,194,304 位 x 2。MX25R8035F 具有串行外设接口和软件协议，允许在简单的三线总线上运行单 I/O 模式下，总线信号有 3 个，分别为时钟输入 (SCLK)、串行数据输入 (SI) 和串行数据输出（SO）。通过 CS# 输入启用对设备的串行访问。当处于双 I/O 读取模式时，SI 引脚和 SO 引脚变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，用于地址/虚拟位输入和数据输出。当处于四 I/O 读取模式时，SI 引脚、SO 引脚、WP# 引脚和 RESET#/HOLD# 引脚变为 SIO0 引脚、SIO1 引脚、SIO2 引脚和 SIO3 引脚，用于地址/虚拟位输入和数据输出。更多 +
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MX25L6433FM2I-08G Macronix（旺宏）串行（SPI）接口的Nor Flash闪存芯片
MX25L6433F 是 64Mb 位串行 NOR 闪存，内部配置为 8,388,608 x 8。当在四 I/O 模式下，结构变为 16,777,216 位 x 4。在两 I/O 模式下，结构变为33,554,432 位 x 2. MX25L6433F 具有串行外设接口和软件协议，允许操作在单 I/O 模式下，它位于简单的 3 线总线上。三个总线信号分别是时钟输入 (SCLK)、串行数据输入 (SI) 和串行数据输出 (SO)。通过 CS# 输入启用对器件的串行访问。MX25L6433F，MXSMIO （串行多I/O）闪存，提供整个芯片的顺序读取操作以及多 I/O 功能。更多 +
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MX25L1606EM2I-12G Macronix（旺宏）Nor Flash 闪存
该设备具有串行外围接口和软件协议，允许在简单的三线总线上运行。三个总线信号分别是时钟输入 (SCLK)、串行数据输入 (SI) 和串行数据输出 (SO)。串行访问该设备由 CS# 输入启用。当处于双输出读取模式时，SI 和 SO 引脚变为 SIO0 和 SIO1 引脚用于数据输出。该设备提供对整个芯片的顺序读取操作。发出编程/擦除命令后，自动编程/擦除算法对指定的指定页面或扇区/块位置的程序命令将被执行。程序命令以字节为单位或以页面为单位执行，或擦除命令以字为单位执行。擦除命令以扇区、块或整个芯片为单位执行。为了方便用户使用，芯片中有一个状态寄存器用于指示芯片的状态。状态读取可以发出命令来通过 WIP 位检测编程或擦除操作的完成状态。更多 +
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GD32F407VET6 GD(兆易创新) ARM Cortex -M4 32 位微控制器
GD32F407xx 器件属于 GD32 MCU 家族的连接产品线。它是一款新的基于 ARM Cortex -M4 RISC 内核的 32 位通用微控制器，在增强处理能力、降低功耗和外设集方面具有最佳性价比。Cortex -M4 内核具有浮点单元（FPU），可加速单精度浮点数学运算，并支持所有 ARM 单精度指令和数据类型。它实现了一整套 DSP 指令，以满足数字信号控制市场对高效、易用的控制和信号处理能力融合的需求。它还提供了内存保护单元（MPU）和强大的跟踪技术，以增强应用程序安全性和高级调试支持。GD32F407xx 器件集成了工作频率为 168 MHz 的 ARM Cortex -M4 32 位处理器内核，闪存访问零等待状态以获得最大效率。更多 +
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GD32F303RCT6 GD(兆易创新) ARM Cortex-M4 32 位微控制器
GD32F303xx 器件属于 GD32 MCU 主流产品线。它是一款新的基于 ARM Cortex-M4 RISC 内核的 32 位通用微控制器，在增强处理能力、降低功耗和外设集方面具有最佳性价比。Cortex -M4 内核实现了一整套 DSP 指令，以满足数字信号控制市场对高效、易用的控制和信号处理能力融合的需求。它还提供了内存保护单元（MPU）和强大的跟踪技术，以增强应用程序安全性和高级调试支持。GD32F303xx 器件集成了工作频率为 120 MHz 的 ARM 。该器件的工作电源为 2.6 至 3.6V，工作温度范围为 -40 至 +85°C。多种省电模式在唤醒延迟和功耗之间提供了最大优化的灵活性，这在低功耗应用中是一个特别重要的考虑因素。更多 +
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GD32F303CCT6 GD(兆易创新) ARM Cortex-M4 内核 32位微控制器
GD32F303xx器件属于GD32单片机主流产品线。这是一个新的32位通用微控制器基于ARM?Cortex?-M4的最佳RISC内核性价比方面增强了处理能力，降低了功耗消费和外围设置。Cortex?-M4核心功能实现了一整套DSP说明，以解决数字信号控制市场，要求高效，易于使用混合控制和信号处理能力。它还提供了一个内存保护单元(MPU)和强大的跟踪技术，以增强应用程序安全性和高级调试支持。GD32F303xx器件采用ARM?Cortex?-M4 32位处理器核心操作在120兆赫频率与Flash访问零等待状态，以获得最大的效率。它提供高达3072 KB的片上闪存和96 KB的SRAM内存。广泛的范围增强I/ o和外设连接到两个APB总线。更多 +
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GD32F103VET6 GD(兆易创新) ARM Cortex-M3 内核 32位微控制器
GD32F103xx 器件是一款基于 ARM Cortex-M3 RISC 内核的 32 位通用微控制器，在处理能力、降低功耗和外设集方面具有最佳比例。Cortex-M3 是下一代处理器内核，它与嵌套向量中断控制器（NVIC）、SysTick 定时器和高级调试支持紧密耦合。GD32F103xx 器件集成了工作频率为 108 MHz 的 ARM Cortex-M3 32 位处理器内核，闪存访问零等待状态以获得最大效率。它提供高达 3MB 的片上闪存和高达 96KB 的 SRAM 内存。广泛的增强型 I/O 和外设连接到两条 APB 总线。更多 +
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GD32F103RET6 GD(兆易创新) ARM Cortex-M3内核 32位微控制器
GD32F103xx 器件是一款基于 ARM Cortex-M3 RISC 内核的 32 位通用微控制器，在处理能力、降低功耗和外设集方面具有最佳比例。Cortex-M3 是下一代处理器内核，它与嵌套向量中断控制器（NVIC）、SysTick 定时器和高级调试支持紧密耦合。GD32F103xx 器件集成了工作频率为 108 MHz 的 ARM Cortex-M3 32 位处理器内核，闪存访问零等待状态以获得最大效率。它提供高达 3MB 的片上闪存和高达 96KB 的 SRAM 内存。广泛的增强型 I/O 和外设连接到两条 APB 总线。更多 +
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GD32F103RCT6 GD(兆易创新) ARM Cortex-M3 内核 32位微控制器
GD32F103xx 器件是一款基于 ARM Cortex TM-M3 RISC 内核的 32 位通用微控制器，在处理能力、降低功耗和外设集方面具有最佳比例。CortexTM-M3 是下一代处理器内核，它与嵌套向量中断控制器（NVIC）、SysTick 定时器和高级调试支持紧密耦合。GD32F103xx 器件集成了工作频率为 108 MHz 的 ARM Cortex M-M3 32 位处理器内核，闪存访问零等待状态以获得最大效率。它提供高达 3MB 的片上闪存和高达 96KB 的 SRAM 内存。更多 +
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GD32F103CBT6 GD(兆易创新) ARM Cortex -M3 32 位微控制器
GD32F103xx器件是基于Arm的32位通用微控制器Cortex-M3 RISC内核，在处理能力方面具有最佳比例，降低了功耗消费和外围设置。Cortex-M3是下一代处理器核心紧密耦合嵌套矢量中断控制器(NVIC)， SysTick定时器和高级调试支持。GD32F103xx器件采用ArmCortex-M3 32位处理器核心操作在108兆赫频率与闪存访问零等待状态，以获得最大的效率。它提供高达3 MB的片上闪存和高达96 KB的SRAM内存。更多 +
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GD32F103C8T6 GD(兆易创新) ARM Cortex-M3 32 位微控制器
GD32F103xx 器件是一款基于 ARM CortexTM-M3 RISC 内核的 32 位通用微控制器，在处理能力、降低功耗和外设集方面具有最佳比例。CortexTM-M3 是下一代处理器内核，它与嵌套向量中断控制器（NVIC）、SysTick 定时器和高级调试支持紧密耦合。 。该器件的工作电源为 2.6 至 3.6V，工作温度范围为 -40 至 +85°C。多种省电模式在唤醒延迟和功耗之间提供了最大优化的灵活性，这在低功耗应用中是一个特别重要的考虑因素。上述特性使 GD32F103xx 器件适用于广泛的应用，特别是在工业控制、电机驱动、电源监控和报警系统、消费和手持设备、POS、车载 GPS、视频对讲机、PC 外设等领域。更多 +
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GD32E230C8T6 GD(兆易创新) ARM Cortex -M23 32 位微控制器
GD32E230xx器件属于GD32单片机系列的价值线。这是一个新的32位基于ARMCortex-M23内核的通用微控制器。的Cortex-M23处理器是一种具有极低门数的节能处理器。它是用来使用的适用于需要区域优化的微控制器和深度嵌入式应用处理器。该处理器通过体积小但功能强大的处理器实现了高能效指令集和广泛优化设计，提供高端处理硬件包括一个单周期乘法器和一个17周期分法器。GD32E230xx器件采用ARMCortex-M23 32位处理器核心工作频率高达72 MHz, Flash访问0~2等待状态以获得最大值效率。它提供了高达64 KB的嵌入式闪存和高达8 KB的SRAM内存。广泛的增强型I/ o和外设连接到两个APB总线。更多 +
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S8050 J3Y(RANGE:200-350) CJ(长晶)SOT-23塑料封装晶体管
S8050 J3Y (RANGE: 200 - 350) 是一款 NPN 型三极管。 “S8050”是三极管的型号，表明其具有特定的电学性能和规格。 RANGE: 200 - 350”通常指的是该三极管的电流放大倍数（β值）的范围在 200 到 350 之间。 S8050 三极管常用于各种电子电路中，比如： 在放大电路中对电信号进行放大。 在开关电路中控制电路的通断。更多 +
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SS8050(RANGE:200-350) CJ(长晶) SOT-23塑料封装晶体管
SS8050 是一款常见的 NPN 型三极管。“RANGE: 200 - 350”表示某些参数（例如电流放大倍数）的范围在 200 至 350 之间。 SS8050 常用于电子电路中的放大、开关等功能。例如在音频放大电路中对信号进行放大，或者在数字电路中作为电子开关控制电路的通断更多 +
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MMBT3904(RANGE:100-300) CJ(长晶) SOT-23塑料封装晶体管
MMBT3904 是一款 NPN 型小信号晶体管，“RANGE 100 - 300”指的是其电流放大倍数（β）的范围在 100 到 300 之间。 MMBT3904 常用于各种电子电路中，例如： 数字电路中的开关控制。 模拟电路中的信号放大。 它具有以下一些一般特性： 比如，在简单的 LED 驱动电路中，MMBT3904 可以用来控制电流，实现 LED 的点亮和熄灭；在音频前置放大电路中，它也可以对音频信号进行一定程度的放大更多 +
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