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ALC257-CG REALTEK（瑞昱） 音频编解码芯片
是一款音频编解码集成电路，主要用于处理音频信号，可将数字音频信号转换为模拟音频信号输出，同时也能将模拟音频信号转换为数字音频信号进行处理和传输。更多 +
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ALC256-CG REALTEK（瑞昱） 音频编解码芯片
是一款用于音频处理的集成电路芯片，集成了三个功率放大器，包括端口 C 的线性耳机放大器、端口 A 无需外部 DC 阻塞电容器的耳机放大器，及可直接驱动迷你扬声器的立体声 D 类放大器3。更多 +
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MAX31760AEE+T ADI(亚德诺)/MAXIM(美信) 马达/运动/点火控制器和驱动器
MAX31760集成了温度感应和精密PWM风扇控制。它能够精确测量其本地芯片温度和离二极管连接的晶体管的远程温度，例如2N3906，或CPU、图形处理单元（GPU）和其他ASIC中常见的温度二极管。通过I2C接口可以设置多个温度阈值，例如本地高/过热（OT）和远程高/过热。风扇速度根据温度读数作为包含用户编程PWM48字节查找表（LUT）的索引来控制。基于LUT的灵活架构允许用户编程一个平滑的非线性风扇速度与温度转换函数，以化风扇噪音。两个转速计输入允许独立测量两个风扇的速度。FF/FS引脚复用一个开漏风扇故障输出和一个全速风扇驱动输入。更多 +
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RT7207AGQW - GPAB1 RICHTEK(立锜) USB 功率传输芯片
RT7207A是一款用于高效率离线AC/DC转换器的次级侧USB电源传输（USB PD）Type-C，具有纤薄外形尺寸。RT7207A集成了一个MCU作为策略引擎，用于处理USB PD协议，还集成了一个内置的Biphase Coding（BMC）收发器，用于USB PD或其他专有协议。内部同步整流控制器（SRC）即使在宽输出电压范围3.3V20V的情况下，也能在连续传导模式（CCM）和断续传导模式（DCM）下工作。包括两个可分别编程参考电压的双运算放大，用于电压环路和电流环路调节，以提供高精度的可编程恒压（CV）和恒流（CC）调节更多 +
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BCM56150A0KFSBLG Broadcom（博通 ） 高性能千兆以太网交换芯片
BCM56150A0KFSBLG 是博通公司生产的一款高性能千兆以太网交换芯片。它支持 24 个以太网端口，可实现高速、高可靠性的数据交换和管理，适用于多种网络设备和应用场景更多 +
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BCM7430NCKFEBA5G Broadcom（博通 ） 高性能的系统级芯片
它可能是一款面向特定应用领域的系统级芯片，集成了多种功能模块，可能包括处理器核心、通信接口、存储控制器等，以满足特定设备的复杂功能需求。更多 +
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BCM6301KSG Broadcom（博通 ） 集成电路芯片
通常具有低功耗、高集成度等特点，能够在相对较小的空间内实现较为复杂的功能，并且可能具备良好的稳定性和抗干扰能力更多 +
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BCM4718A1KFBG Broadcom（博通 ） 高性能的系统级芯片
BCM4718A1KFBG 是一款高性能的系统级芯片（SoC），属于博通的 Intensi-fi XLR 系列5。它集成了 533MHz MIPS32 74K 核心，拥有 32KB I - cache、32 - KB D - cache 和 64 - entry 转换后备缓冲器（TLB）5。该芯片采用先进的 CMOS 工艺制造，将 CPU 架构与高性能内存架构相结合，为高端千兆以太网路由器提供同步双频段性能，更多 +
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VSC8540XMV-05 MICROCHIP(美国微芯) 以太网芯片
VSC8540-05设备专为空间受限的10/100BASE-TX应用设计。它集成的线路侧终止功能，以节省电路板空间，降低电磁干扰，并提高系统性能。此外，集成的RGMII时序补偿消除了对板上线的需求。Microsemi的EcoEthernet v2.0技术支持IEEE 802.3az节能以太网（EEE）和节能功能，以根据路状态和电缆长度减少功耗。VSC8540-05在所有链路操作速度下优化功耗，并具有Wake-on-LAN（oL）电源管理机制，使用指定的魔法数据包将PHY从低功耗状态唤醒。快速链路故障（FLF）指示用于高可用性网络，10BASE-T/100BASE-TX链路故障的开始。更多 +
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VSC8211XVW MICROCHIP(美国微芯) 以太网芯片
非常适合用于快速以太网交换机的千兆上行链路、光纤、媒体转换器应用和GBIC/SFP模块，Micro的行业领先的低功耗VSC8211集成了一个高性能的1.25Gbps SerDes和一个三速（10/100/100BASE-T）收发器，提供了无与伦比的抗噪声和电缆系统不完美的能力。该设备仅消耗约700mW，只需要.3V和1.2V电源。为了进一步减少系统复杂性和成本，VSC8211的 twisted pair接口具有完全集成的线路终止、极 EMI 和强大的电缆源 ESD（CESD）性能。VSC8211 为系统设计人员提供了最大的设计灵活性，提供了几乎可以连接到任何行或串行 MAC、光模块或三速 GBIC/SFP 连接器的直接连接。更多 +
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PD69101ILQ-TR MICROCHIP(美国微芯) 电源开关芯片
微芯科技的PD69101设备是一款单端口、混合信号和高电压以太网供电（PoE）驱动。它被用于以太网交换机中，并能够使网络设备通过同一根电缆共享电力和数据。它能够检测符合IEEE 802.3-2003标准的受电设备（PDs）和IEEE 802.3at高功率设备，确保安全供电和端口断开，并具有数字控制和最少的外部组件。PD69101是一个即插即用的设备，执行IEEE 802.3af-2003（）和IEEE 802.3at高功率（AT）标准中指定的所有实时功能，包括负载检测、AF和AT分类以及多次分类尝试（MCA。 PD69101集成了电源、模拟和最先进的逻辑，封装在一个24针塑料QFN封装中。更多 +
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MCP23008T-E/ML MICROCHIP(美国微芯) 以太网芯片
MCP23X08设备为I2C总线或SPI应用提供了8位通用并行I/O扩展这两个设备在硬件地址引脚数量和串行接口方面有所不同： MCP23008 – I2C接口；三个地址引脚 MCP23S08 – SPI接口；两个地址引脚 MCP23X08包含多个8位配置寄存器，用于输入、输出极性选择。系统主控可以通过写入I/O配置位来启用I/O作为输入或输出。每个输入或输出的数据都保存在相应的输入或寄存器中。输入端口寄存器的极性可以通过极性反转寄存器进行反转。所有寄存器都可以由系统主控读取。 中断输出配置为在两种条件下激活（互斥）： 1. 当任何输入状态与其相应的输入端口寄存器状态不同时，这用于指示系统主控状态已更改。更多 +
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TPA2011D1YFFR TI(德州仪器） 3.2W单声道D类音频功率放大器
TPA2011D1是一款3.2瓦高效率无滤波器D类音频功率放大器（D类功放），1.21毫米×1.16毫米晶圆芯片级封装（DSBGA），仅需三个外部组件。95%的效率、86贝的电源抑制比（PSRR）、1.5毫安的静态电流以及改进的射频（RF）抗扰性等特性，使得TPA211D1 D类功放非常适用于手机。4毫秒的快速启动时间，且启动时没有可听见的“砰”声，使得TPA201D1非常适用于PDA和智能手机应用。TPA2011D1允许独立增益，同时可以对来自不同源的信号进行求和，并且低至20微伏的噪声下限。更多 +
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SN74AUC2G07DCKR TI(德州仪器） 双缓冲/驱动器，带开漏输出
这款双缓冲/驱动器在0.8V至2.7V的VCC下可正常工作，但特别设计用于1.6V至1.95V的VCC操作。 SN74AUC2G07的输出是开漏的，可以与其他开漏输出连接，实现主动低电平线或主动高电平线与功能。最大漏电流为32mA。 NanoFree封装技术是IC封装概念的一次重大，它将芯片作为封装体。 该设备完全针对使用Ioff的部分低功耗应用进行了规定。Ioff电路在设备断电时禁用输出，防止通过设备回流，从而避免损坏。更多 +
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MP6517BGJS-Z MPS/美国芯源 单相直流无刷电机驱动器
这是一款集成功率 MOSFET 和霍尔效应传感器的芯片，主要用于驱动单相直流无刷风扇电机，输出电流限值高达 1.2A。它通过 PWM 引脚上的 PWM 信号控制电机转速，具备转速检测功能和转子锁定故障指示，可对输出速度和输入占空比曲线轻松编程，以实现灵活应用。更多 +
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PI3PCIE3212ZBEX DIODES(美台) PCI接口芯片
PI3PCIE3212是一款PCIe Gen3.0，8Gbps，4-to-2差分，双向通道复/解复用开关。该产品非常适合用于PCI Express 3.0信号切换，因为其具有低比特到比特偏移，高通道到通道噪声和带宽。更多 +
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N25S830HAT22I onsemi(安森美) 256kb低功耗串行SRAM
COn半导体公司系列SRAM包括几个集成存储器设备，包括这个256kb的串行访问静态随机存取存储器，内部为32kb的8位字。这些设备采用On半导体的先进CMOS技术设计和制造，以提供高速性能和低功耗。这些设备使用单一芯片（CS）输入，并使用简单的串行外设接口（SPI）串行总线。使用一个数据输入和数据输出线以及一个时钟来访问设备内部。N25S830HA设备包括一个HOLD引脚，允许暂停与设备的通信。暂停时，输入转换将被忽略。这些设备可以在-4°C至85°C的宽温度范围内工作，并且可以提供几个标准封装选项。更多 +
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DS1314S-2+T&R ADI(亚德诺)/MAXIM(美信) 3V、非易失控制器，带有锂电池监测器
DS1314非易失性控制器带电池监测功能，是一款CMOS电路，解决了将CMOS RAM转换为非易失性的应用问题。输入电源被监测是否有超出容差条件。当检测到这种条件时，芯片启用将被禁止，以实现写保护，并且电池将被切换开启，RAM提供不间断的电源。特殊电路采用低泄漏CMOS工艺，能够在电池消耗极低的情况下进行精确的电压检测。 除了电池备份支持外，DS1314还执行一个重要的功能，即监测锂电池的剩余容量，并在电池寿命结束前警告。由于锂备用电池的开路电压在其大部分寿命期间保持相对恒定，因此准确的电池监测需要加载电池电压测量。更多 +
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CY7C1051DV33-10ZSXIT Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) 高性能的CMOS静态RAM
CY7C1051DV33是一款高性能的CMOS静态RAM，组织为512K字节的1位。 要向设备写入数据，请将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入低电平。如果字节低使能（BLE为低电平，那么从I/O引脚（I/O0–I/O7）的数据将被写入地址引脚（A0–A18指定的位置。如果字节高使能（BHE）为低电平，那么从I/O引脚（I/O8–I/O15）将被写入地址引脚（A0–A18）指定的位置。 要从设备中读取数据，请将芯片使能（CE）和输出使能（）置低电平，同时将写使能（WE）置高电平。如果字节低使能（BLE）为低电平，那么地址引脚指定的位置的数据将出现在I/O0–I/O7上。更多 +
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W25Q128JVSIQ WINBOND(华邦) 高性能、大容量的串行闪存芯片
W25Q128JV（128M-bit）串行闪存提供了存储解决方案，适用于空间引脚和功率有限的系统。25Q系列提供了超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码镜像到RAM、直接从双四SPI（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该设备在单个2.7V至3.6V电源上工作，待机时的消耗低至1μA。所有设备都提供节省空间的封装。 W25Q128JV阵列被组织为65,536个可页面，每个页面为256字节。一次最多可以编程256字节。页面可以按16个一组（4KB扇区擦除）、18个一组（32KB块擦除）、256个一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除W25Q128JV分别具有4,096个可擦除扇区和256个可擦除块。更多 +
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