芯火半导体-国内外芯片现货覆盖全球300个多知名品牌,超过30万种现货库存型号,100%原装现货渠道可追溯

    H5UG7HME23X020R HYNIX(海力士) HBM3 高带宽内存(HBM) 芯片

    类型:HBM3(第三代高带宽内存),容量:单颗256Gb(32GB),速率/位宽:6.0Gbps/pin,288Gb位宽,堆叠:12层堆叠(12Hi) 状态:量产(MP),超高带宽:单颗总带宽约768GB/s,满足大模型训练/推理的高吞吐需求,超高密度:12层堆叠,单颗32GB,单位面积容量领先,适配高端AI加速器,低功耗高效:HBM架构+TSV垂直互连,能效比显著优于GDDR/DDR,高可靠:支持片上ECC纠错,保障企业级7x24小时稳定运行,先进工艺:TSV硅通孔+MR-MUF封装,散热性能优异,适配高算力场景

    全国服务热线:15361844591


    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    类型:HBM3(第三代高带宽内存)

    容量:单颗256Gb(32GB)

    速率/位宽:6.0Gbps/pin,288Gb位宽

    堆叠:12层堆叠(12Hi)

    状态:量产(MP)

    超高带宽:单颗总带宽约768GB/s,满足大模型训练/推理的高吞吐需求

    超高密度:12层堆叠,单颗32GB,单位面积容量领先,适配高端AI加速器

    低功耗高效:HBM架构+TSV垂直互连,能效比显著优于GDDR/DDR

    高可靠:支持片上ECC纠错,保障企业级7x24小时稳定运行

    先进工艺:TSV硅通孔+MR-MUF封装,散热性能优异,适配高算力场景

    2、产品特性

    AI训练/推理:大语言模型、多模态生成、高端GPU/AI加速器配套内存

    高性能计算(HPC):超算中心、科学计算、数据中心算力节点

    高端图形渲染:专业工作站、云游戏、元宇宙实时渲染

    网络设备:高端交换机、路由器、智能网卡(SmartNIC)


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

       HYNIX/(海力士)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    H5UG7HME23X020R

    产品封装:

    FBGA-1024

    标准包装:

    10个/托盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


    芯火半导体产品应用芯火半导体Product application

    • 通信设备

      通信设备

    • 消费电子

      消费电子

    • 工业控制

      工业控制

    • 智能安防

      智能安防

     


    芯火半导体合作客户芯火半导体Customer

  • 埃斯顿自动化
  • 软通动力信息技术(集团)
  • 德力西电器
  • 东胜物联
  • 武汉衷华脑机科技有限公司
  • 比亚迪
  • 魔法原子机器人科技(无锡)有限公司-
  • 深圳航盛电子
  • 浙江盛迈电气技术有限公司
  •  


    芯火半导体芯火优势芯火半导体Advantage

      原厂代理直供,一手货源

    • 芯火半导体

      原厂代理直供,一手货源

      代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌,一手货源省去中间商环节,让利给终端用户

      芯火半导体

    • 芯火半导体

      响应速度快,交付保障

      10余年服务终端客户经验沉淀,为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响,3分钟精确货源匹配,5分钟报价

      行业经验-

    • 芯火半导体

      支持第三方检测,品质保证

      时时刻刻关注产品质量,渠道上只有原厂和代理,可追溯原厂品质,支持第三方检测,从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产,确保每一个产品的稳定性;

      芯火半导体

    • 芯火半导体

      提供技术支持,按需定制

      经验丰富的工程师,专注不同行业芯片技术的更新,免费提供技术支持,根据产品应用,深度分析产品需求,进行个性化功能定制
     


    芯火半导体芯火团队芯火半导体Core Fire Team

    • 1

      公司团队

    • 2

      团队协作

    • 关于芯火-关于芯火-团队风采-3压缩

      公司团队

    • 芯火团队-公司团队-2

      团队协作


     


    芯火半导体芯火资质芯火半导体 honor

    • AAA级诚信供应商单位

      诚信供应商单位

    • AAA级行业诚信单位

      行业诚信单位

    • AAA级质量、服务诚信单位

      质量、服务诚信单位

    • AAA级重服务守信用单位

      重服务守信用单位

     


    采购:H5UG7HME23X020R HYNIX(海力士) HBM3 高带宽内存(HBM) 芯片

    • *联系人:
    • *手机:
    • 公司名称:
    • 邮箱:
    • *采购意向:
    • *验证码:验证码

    跟此产品相关的产品 / Related Products

    H5UG7HME03X020R   HYNIX(海力士)  HBM3 高带宽内存(HBM) 芯片
    H5UG7HME03X020R HYNIX(海力士) HBM3 高带宽内存(HBM) 芯片
    类型:HBM3(第三代高带宽内存),容量:单颗 128Gb(16GB),速率/位宽:6.0Gbps/pin,288Gb 位宽,堆叠:8层堆叠(8Hi) 状态:量产(MP),高带宽:单颗带宽约 768GB/s,满足 AI与 HPC 算力需求,高密度:8 层堆叠,单颗16GB,单位面积容量领先 低功耗高效:HBM 架构 +TSV 垂直互连,能效比优于 GDDR/DDR,高可靠:支持 片上 ECC 纠错,保障企业级稳定性 先进工艺:TSV 硅通孔+MR-MUF 封装,散热性能优异
    H5UG7HMD83X020R   HYNIX(海力士)  HBM3 高带宽内存(HBM) 芯片
    H5UG7HMD83X020R HYNIX(海力士) HBM3 高带宽内存(HBM) 芯片
    类型:HBM3(第三代高带宽内存),容量:单颗 128Gb(16GB),速率/位宽:5.6Gbps/pin,288Gb 位宽,堆叠:8 层堆叠(8Hi) 状态:量产(MP),高带宽:单颗总带宽约 716.8GB/s,满足 A1 与 HPC 算力需求,高密度:8 层堆叠,单颗 16GB,单位面积容量领先 低功耗高效:HBM 架构 +TSV 垂直互连,能效比优于 GDDR/DDR,高可靠:支持 片上 ECC 纠错,保障企业级稳定性 先进工艺:TSV 硅通孔+MR-MUF 封装,散热性能优异
    K4Z80325BC-HC16   SAMSUNG(三星半导体)  专为高带宽应用设计的高速动态随机存取存储器
    K4Z80325BC-HC16 SAMSUNG(三星半导体) 专为高带宽应用设计的高速动态随机存取存储器
    GDDR6 SGRAM是一种专为高带宽应用设计的高速动态随机存取存储器。DDR6器件包含以下位数:8Gb为8,589,934,592位;12Gb为1,884,901,888位;16Gb为17,179,869,184位;24Gb25,769,803,776位;32Gb为34,359,738,368位。GDDR6 SGRAM的速接口针对与主机控制器的点对点连接进行了优化。所有高速接口信号均提供片上终结(ODT),从而消除了系统中对终结电阻的求。GDDR6采用16n预取架构和DDR接口以实现高速运行。器件架构由两个16位宽的完全独立通道组成。GDDR6分时钟CK_t和CK_c驱动。CK为两个通道共有。命令和地址(CA)在CK的每个上升沿和下降沿进行寄存。