全国服务热线-
H5UGJHMD83X022R HYNIX(海力士) HBM3E 高带宽内存（HBM） 芯片
类型:HBM3E(第三代增强型高带宽内存)，容量:单颗24Gb(3GB)，速率/位宽:9.6Gbps/pin,288Gb位宽 堆叠:8层堆叠(8Hi)，状态:量产(MP)，超高带宽:单颗带宽1.23TB/s，满足大模型训练/推理需求SK hynix高密度:8层堆叠，单位面积容量领先，适配GPU/AI加速器低功耗高效:MR-MUF封装，能效比提升约10% sKhynix高可靠:支持ECC纠错，满足企业级稳定性要求，先进工艺:TSV垂直互连+MR-MUF，散热性能提升10%
全国服务热线：15361844591
芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
类型:HBM3E(第三代增强型高带宽内存)
容量:单颗24Gb(3GB)
速率/位宽:9.6Gbps/pin,288Gb位宽
堆叠:8层堆叠(8Hi)
状态:量产(MP)
超高带宽:单颗带宽1.23TB/s，满足大模型训练/推理需求SK hynix高密度:8层堆叠，单位面积
量领先，适配GPU/AI加速器低功耗高效:MR-MUF封装，能效比提升约10% sKhynix高可靠:支持EC
纠错，满足企业级稳定性要求
先进工艺:TSV垂直互连+MR-MUF，散热性能提升10%
2、产品特性
AI训练/推理:大语言模型、多模态生成、GPU/AI加速器配套
高性能计算(HPC):超算、科学计算、数据中心
高端图形渲染:专业工作站、云游戏、元宇宙渲染
网络设备:高端交换机、路由器、智能网卡
封装信息Encapsulation information
|
产品品牌： |
HYNIX/(海力士) |
产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
|
|
产品名称： |
|
产品封装： |
FBGA-1024 |
|
标准包装： |
10个/托盘 |
最低起订： |
1片起售 |
|
出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
-
通信设备
-
消费电子
-
工业控制
-
智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
-
原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
-
响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
-
支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
-
提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
-
公司团队
-
团队协作
-
公司团队
-
团队协作
芯火资质 honor
-
诚信供应商单位
-
行业诚信单位
-
质量、服务诚信单位
-
重服务守信用单位
采购：H5UGJHMD83X022R HYNIX(海力士) HBM3E 高带宽内存（HBM） 芯片
- *联系人：
- *手机：
- 公司名称：
- 邮箱：
- *采购意向：
-
*验证码：
跟此产品相关的产品 / Related Products
- H5UGJHAF03X041R HYNIX(海力士) HBM3 高带宽内存（HBM） 芯片
- 类型:HBM3(第三代高带宽内存)，容量:单颗24Gb(3GB)，速率/位宽:8.0Gbps/pin,288Gb位宽，堆叠:12层堆叠(12Hi) 状态:量产(MP)，高带宽:单颗8.0Gbps/pin，总带宽可达2.30TB/s高密度:12层堆叠，单颗24Gb，单位面积容量领先低功耗:HBM架构+TSV垂直互连，能效比优于GDDR/DDR高可靠:支持ECC纠错，满足企业级与AI训练稳定性要求先进工艺:TSV硅通孔+先进封装，信号延迟低、抗干扰强
- H5UG7HME23X020R HYNIX(海力士) HBM3 高带宽内存（HBM） 芯片
- 类型:HBM3(第三代高带宽内存)，容量:单颗256Gb(32GB)，速率/位宽:6.0Gbps/pin,288Gb位宽，堆叠:12层堆叠(12Hi) 状态:量产(MP)，超高带宽:单颗总带宽约768GB/s，满足大模型训练/推理的高吞吐需求，超高密度:12层堆叠，单颗32GB，单位面积容量领先，适配高端AI加速器，低功耗高效:HBM架构+TSV垂直互连，能效比显著优于GDDR/DDR，高可靠:支持片上ECC纠错，保障企业级7x24小时稳定运行，先进工艺:TSV硅通孔+MR-MUF封装，散热性能优异，适配高算力场景
- H5UG7HME03X020R HYNIX(海力士) HBM3 高带宽内存（HBM） 芯片
- 类型:HBM3(第三代高带宽内存)，容量:单颗 128Gb(16GB)，速率/位宽:6.0Gbps/pin，288Gb 位宽，堆叠:8层堆叠(8Hi) 状态:量产(MP)，高带宽:单颗带宽约 768GB/s，满足 AI与 HPC 算力需求，高密度:8 层堆叠，单颗16GB，单位面积容量领先 低功耗高效:HBM 架构 +TSV 垂直互连，能效比优于 GDDR/DDR，高可靠:支持 片上 ECC 纠错，保障企业级稳定性 先进工艺:TSV 硅通孔+MR-MUF 封装，散热性能优异
top