全国服务热线-
H5UGVHAF63X043R HYNIX(海力士) HBM3E 高带宽内存（HBM） 芯片
类型：HBM3E（第三代增强型高带宽内存），容量：单颗 24Gb（3GB），位宽 / 带宽：288Gb 位宽，单颗 9.2Gbps/pin 数据速率，堆叠：12 层堆叠（12Hi），状态：工程样片 / 定制阶段（CS），超高速：单颗 9.2Gbps/pin，总带宽可达 2.65TB/s 高密度：12 层堆叠，单颗 24Gb，大幅提升单位面积容量，低功耗：HBM 架构 + 先进工艺，能效比显著优于传统 GDDR/DDR 高可靠：支持 ECC 纠错，适合企业级与 AI 训练场景，先进封装：采用 TSV（硅通孔） 垂直互连，信号延迟低、干扰小
全国服务热线：15361844591
芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
类型：HBM3E（第三代增强型高带宽内存）
容量：单颗 24Gb（3GB）
位宽 / 带宽：288Gb 位宽，单颗 9.2Gbps/pin 数据速率
堆叠：12 层堆叠（12Hi）
状态：工程样片 / 定制阶段（CS）
超高速：单颗 9.2Gbps/pin，总带宽可达 2.65TB/s
高密度：12 层堆叠，单颗 24Gb，大幅提升单位面积容量
低功耗：HBM 架构 + 先进工艺，能效比显著优于传统 GDDR/DDR
高可靠：支持 ECC 纠错，适合企业级与 AI 训练场景
先进封装：采用 TSV（硅通孔） 垂直互连，信号延迟低、干扰小
2、产品特性
AI 训练 / 推理：大模型、GPU/AI 加速器配套内存
高性能计算（HPC）：超算、科学计算、数据中心
高端图形渲染：专业工作站、云游戏、元宇宙渲染
网络设备：高端交换机、路由器、智能网卡
封装信息Encapsulation information
|
产品品牌： |
HYNIX/(海力士) |
产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
|
|
产品名称： |
|
产品封装： |
FBGA-1024 |
|
标准包装： |
10个/托盘 |
最低起订： |
1片起售 |
|
出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
-
通信设备
-
消费电子
-
工业控制
-
智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
-
原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
-
响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
-
支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
-
提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
-
公司团队
-
团队协作
-
公司团队
-
团队协作
芯火资质 honor
-
诚信供应商单位
-
行业诚信单位
-
质量、服务诚信单位
-
重服务守信用单位
采购：H5UGVHAF63X043R HYNIX(海力士) HBM3E 高带宽内存（HBM） 芯片
- *联系人：
- *手机：
- 公司名称：
- 邮箱：
- *采购意向：
-
*验证码：
跟此产品相关的产品 / Related Products
- H5UGVHAF03X043R HYNIX(海力士) HBM3E 高带宽内存（HBM） 芯片
- 类型：HBM3E（第三代增强型高带宽内存），容量：单颗 16Gb（2GB），位宽 / 带宽：288Gb 位宽，单颗 9.6Gbps/pin 数据速率，堆叠：8 层堆叠（8Hi），状态：量产（MP），超高速：单颗 9.6Gbps/pin，总带宽可达 1.23TB/S，高密度：8 层堆叠，单颗 16Gb，单位面积容量高，低功耗：HBM 架构 + MR MUF 封装，能效比提升约 10%，高可靠：支持 ECC 纠错，适合企业级与 AI 训练场景，先进封装：TSV（硅通孔） 垂直互连 + MR MUF 工艺，散热性能提升 10%
- H5UGJHME23X022R HYNIX(海力士) HBM3E 高带宽内存（HBM） 芯片
- 类型:HBM3E(第三代增强型高带宽内存)，容量:单颗 24Gb(3GB)，速率/位宽:9.6Gbps/pin，288Gb 位宽，堆叠:12 层堆叠(12Hi)，状态:量产(MP)，核心特性，超高带宽:单颗带宽 1.23TB/s，满足大模型训练/推理需求，高密度:12 层堆叠，单位面积容量领先，适配 GPU/AI加速器，低功耗高效:MR-MUF 封装，能效比提升约10%，高可靠:支持 ECC 纠错，满足企业级稳定性要求 先进工艺:TSV 垂直互连+MR-MUF，散热性能提升 10%
- H5UGJHMD83X022R HYNIX(海力士) HBM3E 高带宽内存（HBM） 芯片
- 类型:HBM3E(第三代增强型高带宽内存)，容量:单颗24Gb(3GB)，速率/位宽:9.6Gbps/pin,288Gb位宽 堆叠:8层堆叠(8Hi)，状态:量产(MP)，超高带宽:单颗带宽1.23TB/s，满足大模型训练/推理需求SK hynix高密度:8层堆叠，单位面积容量领先，适配GPU/AI加速器低功耗高效:MR-MUF封装，能效比提升约10% sKhynix高可靠:支持ECC纠错，满足企业级稳定性要求，先进工艺:TSV垂直互连+MR-MUF，散热性能提升10%
top