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    W25Q16JVSNIQ Winbond(华邦) 支持双/四路SPI接口的3V、16Mbit 串行闪存

    W25Q16JV(16M位)串行闪存为系统提供了有限空间、引脚和功耗条件存储解决方案。25Q系列在灵活性和性能上远超普通串行闪存设备。它们非常适合将代码映射到RAM、直接从双/四SPXIP)执行代码以及存储语音、文本和数据。该设备采用单一2.7V至3.6V电源供电,掉电模式下的耗低至1μA。 W25Q16JV阵列由8,192个可编程页组成,每页256字节。每可编程256字节。页可按16页一组(4KB扇区擦除)、128页一组(32KB块擦除)、26页一组(64KB块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。W25Q16JV分别具有51个可擦除扇区和32个可擦除块。

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    W25Q16JV(16M位)串行闪存为系统提供了有限空间、引脚和功耗条件存储解决方案。25Q系列在灵活性和性能上远超普通串行闪存设备。它们非常适合将代码映射到RAM、直接从双/四SPXIP)执行代码以及存储语音、文本和数据。该设备采用单一2.7V至3.6V电源供电,掉电模式下的耗低至1µA。 W25Q16JV阵列由8,192个可编程页组成,每页256字节。每可编程256字节。页可按16页一组(4KB扇区擦除)、128页一组(32KB块擦除)、26页一组(64KB块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。W25Q16JV分别具有51个可擦除扇区和32个可擦除块。4KB的小扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性。(见图2。) W2516JV支持标准串行外设接口(SPI),以及高性能双/四输出以及双/四I/O SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据/O0(DI)、I/O1(DO)、I/O2和I/O3。支持高达133MHz的SPI时钟频率,当使用快速取双/四I/O指令时,可实现相当于266MHz(133MHz x 2)的双I/O时钟速率和532MHz133MHz x 4)的四I/O时钟速率。这些传输速率可超越标准异步8位和16位并行闪存。 此外,该设备支EDEC标准制造商和设备ID及SFDP寄存器、64位唯一序列号

    2、产品特性

    新一代SpiFlash存储器系列 - W25Q16JV:16M位/2M字节(2,097,152) 标准SPI:CLK, /CS, DI, DO 双SPI:CLK, /CS, IO0, IO1 四SPI:LK, /CS, IO0, IO1, IO2, IO3 软件与硬件复位 (1) 性能最高的串行闪存 MHz 单/双/四SPI时钟 等效266/532MHz 双/四SPI 66MB/S 连续数据传输速率每扇区最小10万次编程-擦除周期 超过20年的数据保存时间 高效的“连续读取” 支持8/16/3264字节循环的连续读取 访问内存仅需8个时钟周期 支持真正的XIP(原地执行)操作 性能优于X并行闪存 低功耗,宽温度范围 - 单一2.7V至3.6V电源 -40°C至85°C工作范围40°C至105°C工作范围 断电功耗<1uA(典型值)

    灵活的架构,支持4KB扇区 统一的扇区/块擦除(4K/32K/64K节) 可编程页大小为1至256字节 擦除/编程挂起与恢复功能 先进的安全特性 软件和硬件写保护 电源锁定及特OTP保护(2) 顶部/底部、互补阵列保护 独立的块/扇区阵列保护 每颗芯片具有唯一的64位ID 可现参数(SFDP)寄存器 3组256字节安全寄存器,带OTP锁定 易失性与非易失性状态寄存位 高空间利用率封装 - 8引脚SOIC 150密尔/208密尔 - 8焊盘USON2x3mm/4x3mm - 8焊盘XSON 4x4mm - 8焊盘WSON 6x5mm -8焊球WLCSP


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

       Winbond/华邦

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    W25Q16JVSNIQ

    产品封装:

    SOIC-8

    标准包装:

    2500个/圆盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


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