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    W25Q16JVSSIQ Winbond(华邦) 支持双/四路SPI接口的3V、16Mbit 串行闪存

    W25Q16JV(16M位)串行闪存为受限于空间、引脚和功耗的系统提存储解决方案。25Q系列在灵活性和性能上远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、直接从双/四线I(XIP)执行代码以及存储语音、文本和数据。该器件采用单一2.7V至3.6V电源供电,掉电模式的功耗低至1μA。W25Q16JV阵列由8,192个可编程页组成,每页256字节。次可编程256字节。页可按16页一组(4KB扇区擦除)、128页一组(32KB块擦除)、56页一组(64KB块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。W25Q16JV分别具有51个可擦除扇区和32个可擦除块。

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    W25Q16JV(16M位)串行闪存为受限于空间、引脚和功耗的系统提存储解决方案。25Q系列在灵活性和性能上远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、直接从双/四线I(XIP)执行代码以及存储语音、文本和数据。该器件采用单一2.7V至3.6V电源供电,掉电模式的功耗低至1µA。W25Q16JV阵列由8,192个可编程页组成,每页256字节。次可编程256字节。页可按16页一组(4KB扇区擦除)、128页一组(32KB块擦除)、56页一组(64KB块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。W25Q16JV分别具有51个可擦除扇区和32个可擦除块。4KB的小扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性。(见图2。)W2516JV支持标准串行外设接口(SPI),以及高性能双/四线输出以及双/四线I/O SPI:串行时钟、芯片选择行数据I/O0(DI)、I/O1(DO)、I/O2和I/O3。支持高达133MHz的SPI时钟频率,用快速读取双/四线I/O指令时,可实现相当于266MHz(133MHz x 2)的双I/O时钟速率和5MHz(133MHz x 4)的四I/O时钟速率。这些传输速率可超越标准异步8位和16位并行闪存。此该器件支持JEDEC标准制造商和器件ID及SFDP寄存器、64位唯一序列号

    2、产品特性

    新型SpiFlash存储器系列 -W25Q16JV:16M位/2字节(2,097,152) 标准SPI:CLK, /CS, DI, DO 双SPI:CLK, /CS, IO0, IO1 四SPI:CK, /CS, IO0, IO1, IO2, IO3 软件与硬件复位(1) 高性能串行闪存 133MH单线、双线、四线SPI时钟 等效266/532MHz双线/四线SPI 66MB/s连续数据传输 每扇区最小10万次编程擦除周期 -超过20年的数据保持能力 高效的“连续读取” -支持8/16/2/64字节循环的连续读取 -寻址内存仅需8个时钟周期 -支持真正的XIP(原地执行)操作 -能优于X16并行闪存 低功耗,宽温范围 -单电源2.7V至3.6V -40°C至85°工作范围 -40°C至105°C工作范围 -关断功耗<1μA(典型值)

    具有4KB扇区的灵活架构 统一扇区/块擦除(4K/132K/16K字节) 每可编程页1至256字节编程 擦除/编程挂起与恢复 二 高级安全特性 软件和硬件写保护 电源锁定殊OTP保护(2) 顶部/底部、互补阵列保护 -独立块/扇区阵列保护 每颗芯片具有64位唯一ID 发现参数(SFDP)寄存器 3X256字节安全寄存器,带OTP锁 易失性与非易失性状态存器位 高效空间封装 -8引脚SOlc 150密尔/208密尔 -8焊盘USON 2Xmm/4x3-mm -8焊盘XSON 4x4-mm -8焊盘WSON 6x5-mm -8焊球WLCS


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

       Winbond/华邦

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    W25Q16JVSSIQ

    产品封装:

    SOIC-8-208mil

    标准包装:

    2000个/圆盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

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