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AP40T10GH-VB VBsemi(微碧半导体) 1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
沟槽式功率MOSFETs175 "C结点温度低热阻封装更多 +
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STW4N150 ST(意法半导体) 1个N沟道 耐压:1500V 电流:4A
意法半导体采用经过充分验证的高压MESHOVERLAY工艺，设计出性能卓越的先进超高压功率MOSFET产品家族增强型布局与公司专有的边缘终止结构相结合，可实现最低的单位面积RDS(on)，无与伦比的栅极电荷和开关特性更多 +
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STP110N8F6 ST(意法半导体) 1个N沟道 耐压:80V 电流:110A
该器件采用STripFET F6技术开发，具有新的槽式栅极结构，是一款N沟道功率MOSFET。所得到的功率MOS在所有封装中均表现出非常低的RDS(on)。更多 +
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STFW3N150 ST(意法半导体) 1个N沟道 耐压:1500V 电流:2.5A
这些功率MOSFET采用公司基于集成条布局的MESHOVERLAY工艺设计。结果是，该产品在性能上与其它制造商的标准部件相匹配或改进。更多 +
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STF33N60M2 ST(意法半导体) 1个N沟道 耐压:600V 电流:26A
这些器件是采用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条带布局和改进的垂直结构，这些器件具有导通电阻和优化的开关特性，使其非常适合最苛刻的高效转换器。更多 +
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FDS6681Z onsemi(安森美) 1个P沟道 耐压:30V 电流:20A
这款P沟道MOSFET采用安森美半导体的先进PowerTrench工艺制造，该工艺专门设计以最小化导通状态。该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。更多 +
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FDMS86101 Infineon(英飞凌) 1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
这款N沟道MOSFET采用Fairchild半导体先进的Power Trench工艺制造，该工艺专门设计以最小化导通状态电阻，同时保持的开关性能。更多 +
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CSD18532Q5B TI(德州仪器) 60V N 通道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 2.5m欧姆、60VNexFET功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的 损耗。更多 +
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SGM8000C-S27B8G 硅格半导体 一款由得一微（Yeestor）生产的存储芯片，属于 SGM8000C 系列
SiliconGo e MMC是一款采用BGA封装形式的嵌入式存储解决方案。E MMC的操作使用e MMCv5.1进行简单的内存读写，该协议是行业标准。E MMC由NAND闪存和MMC控制器组成。NAND区域（VCC需要3.3V的供电电压，而MMC控制器支持1.8V或3.3V的双供电电压（VCC或VCCQ）。 MMC有多个优点。它可以在标准接口上轻松使用，这允许了与通用CPU的轻松和广泛集成。由于嵌入式e MMC控制器将AND技术与主机隔离，因此NAND的任何修订或修改对主机都是不可见的。这意味着主机可以在不更新其硬件或软件的情况下支持最新的处理闪存。iconGo e MMC具有高性能、竞争成本、高质量和低功耗。更多 +
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STM32G071GBU6 ST/(意法半导体) ARM微控制器 - MCU
STM32G071x8/xB主流微控制器基于高性能Arm Cortex-M032位RISC内核，工作频率高达64 MHz。它们具有很高的集成度，适用于消费、工业和家电领域的广泛应用，并已准备好用于物联网（oT）解决方案。这些设备集成了内存保护单元（MPU）、高速嵌入式存储器（高达128 Kbytes的Flash程序存储器，具有读保护、保护、专有代码保护和可保护区域，以及36 Kbytes的SRAM）、DMA和广泛的系统功能、增强的I/O和外设。更多 +
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STM32F722RET6 ST/(意法半导体) ARM微控制器 - MCU
STM32F722xx和STM32F723xx设备基于高性能的ARMCortex-M732位RISC内核，该内核在高达216 MHz的频率下运行。Cortex-M7内核具有单精度浮点单元（SFPU，支持ARM单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一套完整的DSP指令和一个内存保护单元（MPU），增强了应用程序的安全性。STM2F722xx和STM32F723xx设备集成了高速嵌入式存储器，包括高达512 Kbytes的Flash内存、25 Kbytes的SRAM（包括64 Kbytes的数据TCM RAM用于关键实时数据）、16 Kbytes的指令TCM RAM（用于关键实时程序）4 Kbytes的备份SRAM（在最低功耗模式下可用）更多 +
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STM8L051F3P6TR ST/(意法半导体) 超低功耗8位MCU，具有8 KB Flash、16 MHz CPU和集
低密度值线STM8L05xxx设备是STM8L超低功耗8位家族的成员。值线STML05xxx超低功耗家族具有增强的STM8 CPU核心，提供更高的处理能力（在16 MHz时高达16 MIPS），同时保持C架构的优势，具有改进的代码密度、24位线性寻址空间和优化架构，用于低功耗操作。该家族包括一个集成的调试模块，具有硬件（SWIM），允许非侵入式应用调试和超快闪存编程。低密度值线STM8L05xxx微控制器具有嵌入式数据EEPR和低功耗、低压、单电源程序闪存。这些设备集成了广泛的增强型I/O和外设，一个12位ADC、一个实时时钟两个16位定时器、一个8位定时器，以及标准通信接口，如SPI、I2C接口和一个USART。更多 +
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AT32F403AVGT7 ST/(意法半导体) ARM 32位的Cortex-M4F微控制器+FPU
AT32F403A系列使用高性能的ARM Cortex-M4F 32位的RISC内核，工作频率为240 MHz，Cortex-M4F内核带有单精度浮点运算单元(FPU)，支持所有ARM单精度数据处理指令和数据类型。它还具有一组DSP指令和提高应用安全性的一个存储器保护单元(MPU)。AT32F403A系列内置高速存储器(高达1024 K字节的内存和96+128 K字节的SRAM)，并可使用外部存储器(高达16 M字节的SPI闪存)，丰富的增强I/O端口和联接到两条APB总线的外设。内置存储器可设置任意范围程序区受sLib保护，成为执行代码安全库区。更多 +
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TPS7A3301RGWR TI/(德州仪器) 具有使能功能的 1A、高 PSRR、负电压、可调节低压降稳压器
TPS7A33系列线性稳压器是负电压(-36 V)桥式超低噪声(16-uMs，72-dBPSRR)线性稳压器，能够提供最大1 A的负载电流。TPS7A33系列包括一个互补金属氧化物半导体(CM)逻辑电平兼容的使能引脚(EN)，允许用户自定义电源管理方案。其他可用的功能包括内置电流限制和热关断功能，以故障条件下保护设备和系统。TPS7A33系列专为高精度、高精度的仪器应用设计，其中干净的电压轨对于最大化系统性能至关重要。这个使其非常适合为运算放大器、模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和其他高性能模拟电路供电。此外，TPS7A3系列线性稳压器也适用于后置DC-DC转换器的调节。更多 +
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VL53L0CXV0DH/1 ST/(意法半导体) 世界上最小的飞行时间（ToF）测距传感器
VL53L0X是一款飞行时间（ToF）激光测距模块，采用目前市场上最小的封装，提供精确的距离测量，目标反射率如何，都能提供准确的测量结果，这是传统技术无法比拟的。它能够测量绝对距离，最大距离可达2米，从而为测距性能树立了新的标杆，并为各种新的应用打开了大门。VL53L0X集成了先进的SPAD阵列（单光子雪崩二极管），并集ST的第二代FlightSense专利技术。VL53L0X的940纳米VCSEL发射器（垂直腔面发射激光器），对眼完全不可见，结合内部物理红外滤波器，使其能够实现更长的测距距离、更高的环境光免疫力以及更好的抗反射玻璃光学串扰能力更多 +
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STTH30M06SPF ST/(意法半导体) 小信号开关二极管
STTH30M06S是一款超快恢复功率整流器，特别适用于在重载应用中工作在高压开关频率下的升或LLC钳位电路，如空调设备或电信电源供应。采用ST最新的超快技术设计，这款600V 30A TO-3P产品状态二极管具有强大的静电放电抗性和高过电流能力更多 +
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STM6519APBBUB6F ST/(意法半导体) 单按钮智能复位
智能复位TM设备提供了一种有用的功能，确保无意中的短按复位按钮关闭不会导致系统复位。这是通过一个扩展的智能复位输入延迟时间（tSRC）来实现的，该时间确保了安全的复位，并消除了对特定专用复位按钮的需求。这种位配置提供了多功能性，并允许应用程序区分软件生成的中断和硬系统复位。当输入按钮连接到微控制器的中断输入，并且短时间闭合时处理器只能被中断。如果系统仍然没有正确响应，继续保持按钮闭合以扩展设置时间tSRC，将通过复位输出对处理器进行硬复位。6519有一个智能复位输入（SR），具有预设延迟的智能复位设置时间（tSRC）。更多 +
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STM32WLE5CCU6 ST/(意法半导体) ARM微控制器 - MCU
STM32WLE5/E4xx系列长距离无线和超低功耗设备集成了一个强大的超低功耗WAN兼容的无线电解决方案，支持以下调制方式：LoRa，(G)FSK，(G)MSK和BPSK。LoRa仅在STM32WLx5xx中可用。这些设备设计为超低功耗，基于高性能的Arm Cortex-M4 32位RISC，工作频率高达48 MHz。该内核实现了一套完整的DSP指令和独立的存储器保护单元（MPU），增强了应用程序的安全性。这些设备集成了存储器（闪存内存高达256 K字节，SRAM高达64 K字节），以及一系列增强的I/O和外设。这些设备还集成了保护机制，用于嵌入式闪存和SRAM：读取保护、写保护和专有代码读取保护。更多 +
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STM32F103RCT6TR ST/(意法半导体) Flash, USB, CAN, 11 定时器, 3 ADC, 13
STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103x性能线系列集成了高性能的ARM Cortex-M3 32位RISC内核，工作频率为72 MHz，高速嵌入式存储器（Flash高达512 Kbytes，SRAM高达64 Kbytes），以及连接到两个APB总线的广泛增强型I/O和外设。所有设备都三个12位ADC、四个通用16位定时器加两个PWM定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个I2C、三个SPI、I2S、一个SDIO、五个USART、一个USB和一个CAN。STM32F103xC/D/E高密度性能线系列在-0至105°C的温度范围内工作，电源电压为2.0至3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。更多 +
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SR1PBBU ST/(意法半导体) 4引脚智能复位
智能复位TM设备提供了一种有用的功能，确保无意中的短按复位按钮关闭不会导致系统复位。这是通过一个扩展的智能复位输入延迟时间（tSRC）来实现的，该时间确保了安全的复位，并消除了对特定专用复位按钮的需求。这种位配置提供了多功能性，并允许应用程序区分软件生成的中断和硬系统复位。当输入按钮连接到微控制器的中断输入，并且短时间闭合时处理器只能被中断。如果系统仍然没有正确响应，继续保持按钮闭合以扩展设置时间tSRCT，将导致处理器通过复位输出进行硬复位SR1有一个智能复位输入（SR），具有预设延迟的智能复位设置时间（tSRC）。更多 +
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