MT29F4G08ABADAWP:D闪存 - NAND 存储器 IC 4Gb 并联 48-TSOP

1、芯片介绍

美光NAND 闪存设备包含用于高性能 I/O 操作的异步数据接口。这些设备使用高度复用的 8 位总线（I/Ox）来传输命令、地址和数据。有五个控制信号用于实现异步数据接口：CE#、CLE、ALE、WE#和 RE#。额外的信号控制硬件写保护和监控设备状态（R/B#）。

这种硬件接口创建了一个引脚数少的设备，具有标准引脚布局，从一个密度到另一个密度保持不变，使未来能够升级到更高密度而无需重新设计电路板。

目标是由芯片使能信号访问的存储单元。一个目标包含一个或多个 NAND 闪存芯片。NAND 闪存芯片是能够独立执行命令和报告状态的最小单元。在 ONFI 规范中，NAND 闪存芯片被称为逻辑单元（LUN）。每个芯片使能信号至少有一个 NAND 闪存芯片。更多细节请见设备和阵列组织。

该设备具有内部 4 位 ECC，可使用 GET/SET 功能启用。

2、产品特性

符合Open NAND Flash Interface（ONF）1.0 标准。

采用单级单元（SLC）技术。组织形式：x8 页大小为 2112 字节（2048 + 64 字节），x16 页大小为 1056 字（1024 + 32 字）；块大小为 64 页（128K + 4K 字节）；平面大小为 2 个平面，每个平面 2048 个块；设备大小有 4Gb（4096 块）、8Gb（8192 块）、16Gb（16384 块）。

异步 I/O 性能：RC/*WC 在 3.3V 时为 20ns，1.8V 时为 25ns。

阵列性能：读页 25us，编程页 200us（典型值：1.8V、3.3V），擦除块 700us（典型值）。

命令集：ONFI NAND Flash 协议，以及先进的命令集，包括编程页缓存模式、读页缓存模式、一次性可编程（OTP）模式、双平面命令、交错芯片（LUN）操作、读取唯一 ID、块锁定（仅 1.8V）、内部数据移动。

操作状态字节提供软件方法来检测操作完成、通过/失败条件和写保护状态。